黄风义

发布者:蔡媛媛发布时间:2018-04-23浏览次数:874

职称:教授

办公室:四牌楼李文正楼北407

办公电话:025-83790830

Emailfyhuang@seu.edu.cn

学习经历:

1982-1986北京大学物理系,学士学位

1986-1988复旦大学物理系,半导体物理专业,硕士学位

1991-1994美国依利诺斯大学香槟分校(简称UIUC),获工程博士学位

工作经历:

1994-1997加州大学洛杉矶分校(UCLA),电子工程系,博士后

1997-2001IBM 公司的高级工程师,在IBM   高等半导体工艺中心(纽约)的硅生产线上负责锗硅BiCMOS技术的工艺集成。作为SiGe项目组主要高级工程师之一,为IBM公司在锗硅技术开发方面做了重大贡献,获“IBM 微电子部总经理的杰出贡献奖”。拥有锗硅BiCMOSSOI BiCMOS领域9项美国专利

2001.11-2002.10中国科学院半导体研究所,中国科学院“百人计划”特聘研究员,半导体研究所微电子中心兼职副主任

2003年–今教育部“长江学者”特聘教授,博导,东南大学,信息科学与工程学院,移动通信国家重点实验室,射频和光电集成电路研究所,副所长

教授课程:

集成电路技术与发展综述-本科

集成电路的器件工艺和模型-博士

研究方向:

1、射频/微波集成电路设计

2、射频模型研究

获奖情况:

2009江苏省“科技进步三等奖”;

2007江苏省“333高层次人才培养工程”中青年科学技术带头人;

2006江苏省六大人才高峰行动计划资助人选

2005教育部“长江学者和创新团队发展计划”创新团队研究骨干

2003教育部“长江学者奖励计划”特聘教授

1999IBM微电子部总经理杰出贡献奖

1989英国“海外留学生研究奖”

1988“李政道物理学奖”

论文著作:

[1]* F. Y. Huang, et al. ,   “An improved small-signal equivalent circuit for GaN high electron mobility   transistors,” IEEE Electron Device Letters.2016, Volume: 37, Pages: 1399 -   1402.

[2]*F.Y. Huang, et al., and   Yangyuan Wang, Frequecy-independent   asymmetric double-π equivalent circuit for silicon on-chip spiral inductors,   physics-based modeling and parameter extraction, IEEE Journel of   Solid-State Circuit, vol. 41, No.10, pp.2272-2283, Oct. 2006.

[3]*F. Y. Huang, J.X. Lu, Y.F.   Zhu, N. Jiang, X.C. Wang, and Y.S. Chi, Effect of substrate parasitic effect on   silicon-based transmission lines and on-chip inductors, IEEE Electron Dev Lett,   vol.28, No.11, pp.1025-1028 Nov.2007.

[4] J.X. Lu, Fengyi Huang,   and Y.S. Chi, “An Analytical Approach to Parameter Extraction for On-Chip   Spiral Inductors With Double-pi Equivalent Circuit,” IEEE Radio Frequency   Integrated Circuits Symposium (RFIC), San Francisco, USA, pp. 221-224, Jun.   2006.

[5]F.Y. Huang, Jingxue Lu,   and Nan Jiang, “Scalable Distributed-capacitance Model for Silicon on-chip   Spiral Inductors”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 48, NO.7,   pp.1423-1427,July 2006.

[6]F. Y. Huang, J.X. Lu,   D.M. Jiang, and N. Jiang , “A Novel Analytical Approach to Parameter   Extraction for on-chip Spiral Inductors Taking into account High-order   Parasitic Effect,” Solid-State Electronics, 50, pp.1557-1562, 2006.

[7]F. Y. Huang, N. Jiang,   and E.L. Bian, “Characteristic-function approach to parameter extraction for   asymmetric equivalent circuit of on-chip spiral inductors,” IEEE Trans. MTT,   vol. 54, pp.115-119, Jan. 2006.

科研项目:

项目名称

项目类别

项目时间

工作类别

项目金额

面向IMT-A等宽带无线通信系统的射频芯片、器件与模块研发

国家科技重大专项

2009-2012

工程应用

852万元

TD-LTE-Advanced终端射频芯片工程样片研发

国家科技重大专项

2012-2016

工程应用

249万元

基于固态电子的太赫兹(THz)电脉冲辐射的研究与实现

国家自然基金

2015-2018

应用基础研究

80万元

基于特征函数法的纳米超高速晶体管毫米波建模研究

国家自然基金

2018-2020

应用基础研究

63万元

纳米CMOS工艺高速数模混合锁相环频率合成器非理想特性模型研究

国家自然基金

2008-2010

应用基础研究

32万元

宽带无线通信射频前端SOC芯片设计与实现

科技部863计划

2009-2012

工程应用

417万元

专利:

专利号

专利名称

专利类型

201010022764.2

一种太赫兹成像系统的探测装置

发明专利授权

201010022736.0

低电压静态分频器集成电路芯片

发明专利授权

201010022735.6

新型全集成双频段低噪声放大器集成电路结构

发明专利授权

201110000291.0

利用共面波导馈电的太赫兹螺旋天线

发明专利授权

201410637767.5

器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法

发明专利授权

201410682700.3

一种TDD/FDD双模可重构的无线通信系统及通信方法

发明专利授权

201410717802.4

一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置

发明专利授权

201410768201.6

直流失调消除电路

发明专利授权