东南大学第一届“芯原杯”电路设计大赛

芯原股份有限公司(芯原)是一家芯片设计平台即服务(Silicon Platform as a Service，SiPaaS™)提供商，为包含移动互联设备、数据中心、物联网(IoT)、汽车、工业和医疗设备在内的广泛终端市场提供全面的系统级芯片(SoC)和系统级封装(SiP)解决方案。芯原的机器学习和人工智能技术已经全面布局智慧设备的未来发展。基于SiPaaS服务理念，芯原助力客户在设计和研发阶段领先一步，从而专注于差异化等核心竞争优势。芯原一站式端到端的解决方案则能够在短时间内打造出从定义到测试封装完成的半导体产品。宽泛灵活的SiPaaS解决方案为包含新兴和成熟半导体厂商、原始设备制造商(OEMs)、原始设计制造商 (ODMs)，以及大型互联网和云平台提供商在内的各种客户提供高效经济的半导体产品替代解决方案。

5月13-14日    赛前培训 

5月15日         正式竞赛

5月16日         赛后答辩

地点：东南大学信息科学与工程学院实验中心(九龙湖校区李文正图书馆东门二楼)

一等奖（1队）：9000元奖金

二等奖（2队）：6000元奖金

三等奖（3队）：3000元奖金

以上队伍均可获得获奖证书、芯原实习机会、芯原上海公司参观(上海2日游)

参赛奖：每名参赛者均有参赛奖

相比传统的体硅工艺技术，FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)器件结构能够很好地解决极大规模集成电路在20纳米以下的漏电问题，从而进一步推进摩尔定律的发展。且FD-SOI技术作为一种全介质隔离技术，在晶体管相同的情况下，可以实现在相同性能下功耗降低至少30%左右，或者在相同功耗下性能提高30%左右。相比复杂的三维结构FinFET，平面结构的FD-SOI又具有设计周期短，成本低等特点。

FD-SOI的几大优势包括支持体偏压技术，优越的模拟/射频特性，支持嵌入式闪存及超低软错误率，具有高性能、低功耗、抗辐射、工艺简单等特点，非常适合可穿戴设备，物联网等新兴应用以及对可靠性要求更高的汽车电子等需求。目前ST和三星在28纳米FD-SOI上已经全面量产，GlobalFoundries也在22纳米FD-SOI上进入量产。

本次电路设计大赛采用封闭式竞赛模式，每3人组成1支参赛队完成比赛。

赛前培训会由芯原专家介绍FD-SOI工艺及相关设计平台并安排上机操作。

大赛由芯原专家组以模拟及射频电路设计方向为命题，基于GlobalFoundries 22纳米FD-SOI的先进工艺制程，使用大赛统一电路设计平台，各参赛队根据命题，独立完成一个满足性能指标要求的电路设计，并提交相应设计报告。大赛次日各参赛队参与评审答辩。

大赛题目将于5月15日，竞赛当天公布。

以参赛作品评审为主体，完成命题设计占80%，自主创新占20%。

竞赛评委由芯原专家组和学校教授专家组共同组成。

具有模拟射频电路设计理论基础，并有电路仿真工具经验（Hspice, Spectre)，且有正式学籍的全日制研究生与本科生均有资格报名参赛。

如自行组队不满3人，将由主办方统一协调。